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상세정보

QR 코드 반도체 산업의 유해인자 =  Hazards in semiconductor industry 모바일 상세정보 이동 QR 코드 ? 도움말
자료유형
단행본
서명/저자사항
반도체 산업의 유해인자 =Hazards in semiconductor industry /윤충식,김승원,박동욱,정지연,최상준,하권철,함승헌 지음
개인저자
윤충식尹忠植1962-
김승원金昇原1972-
박동욱朴東旭1962-
정지연1965-
최상준崔相俊1970-
하권철河權哲1965-
함승헌咸昇憲1985-
발행사항
서울:에피스테메:한국방송통신대학교출판문화원,2020
형태사항
328 p. :천연색삽화, 도표 ;25 cm
ISBN
9788920036057
일반주기
공저자: 김승원, 박동욱, 정지연, 최상준, 하권철, 함승헌
서지주기
참고문헌 수록
요약
반도체 분야에서 10년 이상 연구와 조사에 참여해 온 국내 산업위생 전문가들의 반도체 공부 모임에서 시작되어, 이를 발전시켜 반도체 산업 노동자, 경영자, 관리자, 그리고 연구자와 학생이 두루 참고할 수 있는 교과서를 만드는 데 의견을 모아 함께 집필한 것이다.
기금정보주기
서울대학교 '보건환경연구소 보건학 총서 저술지원사업(과제번호 PHS-2016-1)'의 지원으로 출판됨▲
비통제주제어
반도체산업,유해인자,반도체,

소장정보

단행본 소장정보
번호 등록번호 소장처/자료실 청구기호 도서상태/ 반납예정일 서비스 출력
1 00110261532 중앙도서관 / 학습자료실(2층) 569.4 윤855ㅂ 대출가능 서가부재도서 신고 출력

부가정보

목차
1장 새 기술, 새 공정, 새 화학물질 사용의 위험성 = 15
  1. 반도체 산업의 안전보건이 문제가 되는 이유 = 16
    가. 역사적 경험에 따른 새 기술, 새 산업, 새 화학물질의 위험성 = 16
    나. 반도체 산업의 위험성을 보는 시각 = 17
  2. 반도체 산업의 유해요인과 직업병에 대한 지식 = 21
    가. 반도체 산업의 산업보건 지식의 한계 = 21
    나. 반도체 산업의 산업보건 위험성에 대한 인식 = 22
2장 반도체의 이해 = 27
  1. 반도체의 기초 = 28
  2. 반도체의 분류 = 31
    가. 유기 반도체와 무기 반도체 = 31
    나. 진성 반도체와 불순물 반도체 = 33
  3. 모스트랜지스터 = 35
  4. 전자소자와 반도체 = 37
  5. 집적회로의 발전 = 38
    가. 다이오드 = 38
    나. 트랜지스터 = 39
    다. 집적회로 = 41
  6. 반도체의 역사 = 42
3장 반도체 제조 공정의 전반적 이해 = 45
  1. 반도체 제조 공정 개요 = 46
  2. 실리콘 웨이퍼 제조 = 48
  3. 웨이퍼 가공 = 50
  4. 칩 조립 및 검사 = 52
  5. 기타 공정 = 53
    가. 클린룸 외 공정 = 53
    나. 반도체 공장 지원 산업 = 53
4장 클린룸과 유해인자 = 55
  1. 반도체 사업장 클린룸의 이해 = 56
  2. 클린룸의 공기 청정도 관리 = 58
  3. 반도체 사업장의 클린룸 유지 = 61
  4. 반도체 산업의 전실과 방진복 = 63
  5. 클린룸에 대한 산업보건학적 시각 = 64
5장 웨이퍼 제조 공정과 유해인자 = 67
  1. 반도체 제조 공정 개요 = 68
  2. 웨이퍼 제조 공정 = 69
    가. 웨이퍼 제조 공정 개요 = 69
    나. 실리콘, 규산염, 실리카의 구분과 결정구조 = 70
    다. 잉곳 제조 공정 = 71
    라. 갈륨비소 웨이퍼 = 79
  3. 잉곳 제조 공정의 유해인자 = 81
6장 클리닝(세정) 공정과 유해인자 = 85
  1. 클리닝 개요 = 86
  2. 클리닝 공정 = 90
    가. 습식 클리닝 = 90
    나. 건식 클리닝 = 94
    다. 건조 장치와 마란고니 건조 = 97
  3. 클리닝 공정의 유해인자 = 98
7장 확산 공정과 유해인자 = 101
  1. 확산 공정 개요 = 102
  2. 확산 공정의 유해인자 = 106
    가. 화학적 유해인자 = 106
    나. 물리적 유해인자 = 109
8장 포토리소그래피 공정과 유해인자 = 111
  1. 포토리소그래피 공정의 개요 = 112
  2. 포토리소그래피 세부 공정 = 113
    가. 클리닝 = 115
    나. 표면 처리 = 116
    다. 포토레지스트 코팅 = 119
    라. 소프트 베이크 = 123
    마. 정렬 및 노광 = 124
    바. 노광 후 경화 = 132
    사. 현상 = 134
    아. 하드 베이크 = 137
  3. 포토레지스트 = 137
    가. 포토레지스트의 기본 구성 = 138
    나. 고해상 회로선 폭의 변화에 따른 포토레지스트의 변화 = 140
  4. 포토리소그래피 공정의 유해인자 = 142
    가. PR 제품의 물질안전보건자료 조사 및 성분분석 결과 확인된 유해물질 현황 = 142
    나. 포토리소그래피 공정에서 공기 중 발생 가능한 물질 = 147
    다. 포토리소그래피 공정에서 측정된 공기 중 유해물질 노출농도 = 152
9장 식각 공정과 유해인자 = 159
  1. 식각 공정의 개요 = 160
  2. 식각 공정 = 162
    가. 습식 식각 = 162
    나. 건식 식각 = 167
    다. 식각 품질 = 174
    라. PR 박리 = 176
  3. 식각 공정의 유해인자 = 180
    가. 취급 물질과 부산물 = 180
    나. 물리적 유해인자 = 181
10장 증착 공정과 유해인자 = 183
  1. 증착 공정의 개요 = 184
    가. 화학기상증착법 = 185
    나. 물리기상증착법 = 190
  2. 증착 공정의 유해인자 = 192
    가. 유해인자 노출 위험 = 192
    나. 화학물질 = 193
11장 이온 주입과 유해인자 = 195
  1. 웨이퍼 회로 접합 형성 = 196
    가. 공정 개요 = 196
    나. 유해인자 = 196
  2. 이온 주입법 = 198
    가. 공정 개요 = 198
    나. 유해인자 = 199
12장 물리 화학적 연마와 유해인자 = 207
  1. 물리 화학적 연마의 개요 = 208
  2. 슬러리 = 210
    가. 산화막 슬러리 = 211
    나. 금속막 슬러리 = 213
  3. 물리 화학적 연마 공정의 유해인자 = 214
    가. 취급 물질과 부산물 = 214
    나. 물리적 유해인자 = 215
13장 칩 조립 및 검사 공정과 유해인자 = 217
  1. 칩 조립 공정의 개요 = 218
  2. 패키지 종류 = 221
    가. 삽입 실장형 패키지 = 221
    나. 표면 실장형 패키지 = 222
  3. 칩 조립 공정의 유해인자 = 223
    가. 칩 준비 공정 = 223
    나. 칩 접착 공정 = 232
    다. 와이어 본딩 공정 = 235
    라. 몰딩 공정 = 237
    마. 마킹 공정 = 241
    바. 솔더 볼 부착 공정 = 245
    사. 싱귤레이션 공정 = 251
    아. 패키지 검사 공정 = 253
    자. 모듈 공정 = 261
14장 반도체 공정에서의 화학물질 사용과 유해성 = 263
  1. 반도체 산업과 화학물질 사용 = 264
  2. 우리나라 반도체 산업과 화학물질 사용현황 = 267
  3. 반도체 산업에서의 영업비밀 물질 사용 = 269
  4. 세계적으로 반도체 업체에서 규제되는 화학물질들 = 273
  5. 반도체 공정별 사용하는 화학물질 = 276
  6. 반도체 공장의 노출평가와 분해 산물 = 280
15장 반도체 공정과 전자파 = 283
  1. 전자파의 기본 특성 = 284
  2. 반도체 제조 공정 및 설비 특성 = 285
  3. 전자파의 건강 영향 = 288
  4. 전자파의 노출기준 = 290
  5. 반도체 제조 사업장 작업자들의 극저주파 자기장 노출수준 = 295
  6. 반도체 제조 사업장 작업자들의 극저주파 자기장 노출 관리 방안 = 301
16장 반도체 공정 주요 질병 위험고찰 = 305
  1. 주요 질병 위험 = 306
  2. 생식독성 위험 = 306
  3. 암 발생 및 사망 위험 = 310
    가. 영국 사례 = 313
    나. 미국 사례 = 315
    다. 한국 사례 = 316
참고문헌 = 319
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